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Anwenderforum Leistungshalbleiter

7. - 8. November 2018
Konferenzzentrum München

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Leistungshalbleiter sind Kernkomponenten jedes Netzteils, DC/DC-Wandlers oder Umrichters. Doch der Markt für MOSFET, IGBT & Co. ist sehr breit; es gibt eine Menge von Herstellern, die solche Komponenten in einer nicht zu überblickenden Vielfalt anbieten. Hinzu kommen noch die neuen Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Wie soll sich der Anwender in diesem »Dschungel« zurechtfinden und den für seine Anwendung passenden Leistungshalbleiter identifizieren? Wo liegen die Vor- und Nachteile der unterschiedlichen Leistungshalbleiter-Lösungen?

Hilfestellung sollen Entwickler auf dem »Anwenderforum Leistungshalbleiter« erhalten, das die Markt&Technik sowie DESIGN&ELEKTRONIK vom 7. bis 8. November 2018 in München veranstalten. Diese Konferenz soll die wichtigsten Grundlagen und Anwendungshinweise zu MOSFET & Co. vermitteln. Reicht noch ein Superjunction-MOSFET für die angestrebte Applikation, oder wäre der Übergang auf GaN-Transistoren sinnvoll? Würde der ausgewählte Treiber-IC auch mit anderen Leistungshalbleiter-Technologien funktionieren? Mit welchen Varianzen ist bezüglich den Angaben im Datenblatt zu rechnen? Welche Aspekte sind für eine qualifizierte Vorauswahl entscheidend, und welche weitergehenden Fragen an die Hersteller, erleichtern Entscheidungsfindung und Sourcing?

Nutzen Sie diese Gelegenheit und bereichern Sie mit Ihrem Vortrag das attraktive Programm des Anwenderforums. Die Redaktion freut sich auf Ihren Beitrag! Jetzt Vortragsvorschlag einreichen!

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Video Anwenderforum Leistungshalbleiter 2017