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Lucie Rösgen-Pomper

 

Anwenderforum Leistungshalbleiter

7. - 8. November 2018
Konferenzzentrum München

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Leistungshalbleiter sind Kernkomponenten jedes Netzteils, DC/DC-Wandlers oder Umrichters. Doch der Markt für MOSFET, IGBT & Co. ist sehr breit; es gibt eine Menge von Herstellern, die solche Komponenten in einer nicht zu überblickenden Vielfalt anbieten. Hinzu kommen noch die neuen Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Wie soll sich der Anwender in diesem »Dschungel« zurechtfinden und den für seine Anwendung passenden Leistungshalbleiter identifizieren? Wo liegen die Vor- und Nachteile der unterschiedlichen Leistungshalbleiter-Lösungen?

Hilfestellung sollen Entwickler auf dem »Anwenderforum Leistungshalbleiter« erhalten, das die Markt&Technik sowie DESIGN&ELEKTRONIK vom 7. bis 8. November 2018 in München veranstalten. Diese Konferenz soll die wichtigsten Grundlagen und Anwendungshinweise zu MOSFET & Co. vermitteln. Reicht noch ein Superjunction-MOSFET für die angestrebte Applikation, oder wäre der Übergang auf GaN-Transistoren sinnvoll? Würde der ausgewählte Treiber-IC auch mit anderen Leistungshalbleiter-Technologien funktionieren? Mit welchen Varianzen ist bezüglich den Angaben im Datenblatt zu rechnen? Welche Aspekte sind für eine qualifizierte Vorauswahl entscheidend, und welche weitergehenden Fragen an die Hersteller, erleichtern Entscheidungsfindung und Sourcing?

Jetzt anmelden und Teilnahme sichern!

Das steht auf dem Programm


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Keynote-Highlights


Als Keynote-Sprecher für den zweiten Tag konnten wir Dr. Alex Lidow, Erfinder des Trench-MOSFETs und GaN-Power-Pionier gewonnen werden. Der CEO von Efficient Power Conversion EPC wird auch ein einstündiges Intensivseminar zum Thema Galliumnitrid auf der Veranstaltung halten.

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Die Verfügbarkeit von Wide-Bandgap-Leistungshalbleitern mit ihren deutlich besseren Werten wirft bei vielen Herstellern von Stromversorgungen grundlegende Fragen auf: Wie viel besser sind Systemlösungen auf Basis dieser Komponenten in Bezug auf Dichte und Effizienz? Inwieweit können siliziumbasierte Lösungen auf Kosten von komplexeren Topologien und Steuerungssystemen folgen? Diese und andere Fragen beleuchtet Dr. Gerald Deboy, Senior Principal Power Semiconductors and System Engineering bei Infineon, in seiner Keynote.

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Bildergalerie 2017


Zum Starten der Bildergalerie: Klicken Sie auf ein Bild!

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Video Anwenderforum Leistungshalbleiter 2017